IR推出三款新型25V DirectFET MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出三款新型25V DirectFET MOSFET，包括IRF6622控制MOSFET、IRF6628和IRF6629同步MOSFET，主要应用于服务器和电信系统中的嵌入式CPU电源、VRM模块，以及嵌入式DC-DC转换器。这些应用需要更高的效率和更好的导热效果，从而提高功率密度。IR中国销售总监严国富指出：“与20V器件相比，新型25V DirectFET器件可提供更充分的电压裕量，更符合12V应用的需要。而且与同样有源硅片面积的30V器件相比, 25V器件可以减少功耗。”
IRF6622控制MOSFET的栅极电荷很低(Qg = 12nC)，有助减少开关损耗。经过优化的IRF6628和IRF6629同步MOSFET，不但传导损耗低，导通电阻RDS(on)也很低，分别只有1.9mOhms和1.6mOhms。IRF6622 采用小罐式DirectFET封装及SQ占板面积；而IRF6628和IRF6629则采用中罐式DirectFET封装及MX占板面积。
新型25V DirectFET是专为每相位20A到30A的器件设计的。在12VIN、1.3VOUT、300kHz的5相位设计中，如果每相位采用1对IRF6622和IRF6628，再配合IR XPhase芯片组，那么在130A下即可实现88%的效率。在相同条件下，IRF6622和IRF6629的组合效率更高，在130A时可达88.5%。新器件的详细资料可浏览www.irf.com及www.irf.com.cn。
产品规格如下：
产品编号封装BVDSS (V)10V以下
典型
RDS(on)
(mΩ)4.5V以下
典型RDS(on)
(mΩ)VGS (V)在25oC 的ID@Tc (A)典型QG (nC)典型QGD (nC)
IRF6622DirectFET SQ254.96.8205911.03.8
IRF6628DirectFET MX251.92.5201603112
IRF6629DirectFET MX251.62.1201803411
IRF6622、IRF6628和IRF6629 DirectFET MOSFET现已供货，产品均符合有害物质限制（RoHS）规定。
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