Impinj欲推65纳米NVM，将内存整合到CMOS工艺中
非易失性内存(NVM)知识产权与射频识别电路供应商Impinj公司表示，它的多次可编程内存(multitime programmable memory)已由台积电(TSMC)利用65纳米工艺生产出来。美国Impinj公司的知识产权(IP)产品总经理Larry Morrell表示，已接到台积电返回的65纳米测试电路，预计将能在10月向客户提供用于硬内存模块的IP。
Morrell把这种内存归入他称之为“logic-NVM”的产品类别，因为这种内存能够整合到CMOS逻辑工艺之中，不需要额外的工艺步骤。Morrell表示，许多内存技术在该领域进行竞争，但提供多次可编程性的内存并不多见。
今年稍早的时候，Impinj公司加盟台积电的AAA计划(Active Accuracy Assurance)；该计划过去被称为IP-9000，其目标是对第三方伙伴提供的IP进行验证，以纳入晶圆代工厂的“经投片验证(silicon proven)”IP清单，并采用0.18微米工艺检验AEON/MTP硅内核。
Impinj公司与德州仪器(Texas Instruments)、国家半导体(National Semiconductor)和SanDisk之间签有授权协议。该公司表示，自从2003年以来，已有6亿多个采用AEON NVM的IC出货。
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