什么是SPM：Smart Power Modular?
每个Motion-SPM在高热效封装中集成了六个快速恢复MOSFET (FRFET) 和三个半桥高压IC (HVIC)。这些集成元件采用飞兆半导体的创新技术，实现了低损耗和低EMI特性，有助于提升应用的效率和可靠性。Motion-SPM将MOSFET作为器件的功率开关，提供了较IGBT功率模块或单芯片方案更好的系统耐用性和更大的安全工作区 (SOA)。与分立元件方案相比，这些高度集成的模块不仅能有效地节省空间，而且还省去了对多个分立元件进行测试和认可的耗时工序。SPM= 功率器件 + 驱动器件 + 驱动IC + 封装
功率器件= IGBT 或 MOSFET + FRD
驱动IC=
HVIC 和LVIC
封装=陶瓷基底 或
铜直接键合(DBC)基底的转模封装
系列
额定功率及额定电压等级
特点
SPIM
(CI)
< 10kW
( 600V 75A 1200V 40A )
六个IGBT和六个快速恢复二极管 (FRD)及门极驱动
集成了欠压锁定（UV）和短路（SC）保护功能,
温度传感器
三相整流桥
SPIM
(Inv)
< 10kW
( 600V 100A 1200V 50A )
六个IGBT和六个快速恢复二极管 (FRD)及门极驱动
并集成了欠压锁定（UV）和短路（SC）保护功能,
温度传感器
SPM2
< 5kW
(600V 75A)
六个IGBT和六个快速恢复二极管 (FRD)及门极驱动
并集成了欠压锁定（UV）和短路（SC）保护功能，
软关断功能
温度传感器
SPM3
< 2.2kW
(600V 30A)
六个IGBT和六个快速恢复二极管 (FRD)及门极驱动,
集成了欠压锁定（UV）和短路（SC）保护功能
软关断功能。
SPM4
< 1kW
(600V 15A)
六个IGBT和六个快速恢复二极管 (FRD) 及门极驱动
集成了欠压锁定（UV）和短路（SC）保护功能,
软关断功能
温度传感器
SPM5
< 0.1kW
(500V 3A)-MOSFET
六个MOSFET +门极驱动电路
集成欠压锁定电路( UV)
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