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标题: PIC中档单片机振荡器的类型简介 [打印本页]

作者: kingman 时间: 2009-4-18 20:11
标题: PIC中档单片机振荡器的类型简介
内部振荡器电路用于产生器件时钟。执行指令和实现外设功能都要用到时钟信号。每四个时钟周
期为一个内部指令周期（TCY）。
振荡器共有8 种工作模式。其中两种模式允许将内部RC 振荡器的时钟输出（CLKOUT）在一个
I/O 引脚上输出，或允许将此I/O 引脚用于一般输入输出功能。振荡器模式通过器件配置位来选
择。器件配置位均为非易失性存储器，振荡器的工作模式由编程器件时所写进器件配置位的值决
定。振荡模式如下：
· LP 低频（低功耗）晶体
· XT 晶体/ 谐振器
· HS 高速晶体/ 谐振器
· RC 外部电阻/ 电容振荡模式（与带CLKOUT 的 EXTRC 模式相同）
· EXTRC 外部电阻/ 电容振荡模式
·EXTRC 外部电阻/ 电容振荡模式，带CLKOUT 功能
· INTRC 4MHz 的内部电阻/ 电容振荡模式
· INTRC 4MHz 的内部电阻/ 电容振荡模式，带CLKOUT 功能
   这些振荡模式可满足根据不同应用选择不同振荡器模式的要求。选择 RC 振荡器模式可节省系统
的成本，而LP 晶体模式可降低系统功耗。配置位用来选择不同的选项。
   中档器件可以有8 种不同的振荡模式。用户可通过编程3 个器件配置位（FOSC2， FOSC1 和
FOSC0）选择其中的一种。
   LP、XT 和 HS 模式的主要区别是振荡器的片内反相器增益不同，这使得振荡器有不同的工作频
率范围。表2-1 和表2-2 给出了选择振荡器模式的一些参考信息。通常情况下，选择能够满足技
术要求且具有最低增益的模式，这样能够降低动态电流（IDD）。所给出的不同振荡器模式的频率
范围值均为我们建议的并经过测试的振荡器截止频率。但若经过彻底验证（电压、温度、元件差
异（包括电阻、电容和单片机的内部振荡器电路）），也可选择不同的增益模式。
RC 模式和带CLKOUT 的外部电阻/ 电容模式（EXTRC）具有相同的功能。这样命名是为了便
于描述它有别于其它振荡模式的操作。

表 2-1: 通过FOSC1:FOSC0 位选择器件振荡器模式

配置位 FOSC1:FOSC0	OSC 模式	OSC 反馈反相放大器增益	备注
1 1	RC	—	最经济的振荡解决方案（只需一个外部电阻和电容）。时基变化最大。器件默认模式。
1 0	HS	高增益	高频应用。在三种晶体振荡模式中，电流消耗最大。
0 1	XT	中等增益	标准晶体/ 谐振器。在三种晶体振荡模式中，电流消耗较大。
0 0	LP	低增益	低功耗/ 低频应用在三种晶体振荡模式中，电流消耗最小。

通过FOSC2:FOSC0 位选择器件振荡器模式

配置位 FOSC2:FOSC0	OSC 模式	OSC 反馈反相放大器增益	备注
1 1 1	带 CLKOUT 的 EXTRC	—	经济的器件振荡解决方案。时基变化最大。引脚的CLKOUT 被使能。器件默认模式。
1 1 0	EXTRC	—	经济的器件振荡解决方案。时基变化最大。引脚的CLKOUT 被禁止（作为I/O）。
1 0 1	带CLKOUT 的INTRC	—	最经济的器件振荡解决方案。4MHz 振荡器，振荡频率可微调。引脚的CLKOUT 被使能。
1 0 0	INTRC	—	最经济的器件振荡解决方案。4MHz 振荡器，振荡频率可微调。引脚的CLKOUT 被禁止（作为I/O）
0 1 1	—	—	保留
0 1 0	HS	高增益	高频应用。在三种晶体振荡模式中，电流消耗最大。
0 0 1	XT	中等增益	标准晶体/ 谐振器。在三种晶体振荡模式中，电流消耗较大

0 0 0

低增益

低功耗/ 低频应用。在三种晶体振荡模式中，电流消耗最小

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