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标题: IR推出新型高性能2通道120W D类音频放大器参考设计 [打印本页]

作者: admin 时间: 2008-8-20 16:03
标题: IR推出新型高性能2通道120W D类音频放大器参考设计
IR推出新型高性能2通道120W D类音频放大器参考设计

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出D类音频功率放大器参考设计IRAUDAMP4。与典型的电路设计相比，新型参考设计可帮助设计人员为适用于家庭影院应用、专业放大器、乐器和汽车娱乐系统的所有中压范围的中高功率放大器节省50%的PCB占板面积。
IR 亚太区高级销售副总裁曾海邦表示："这种参考设计可在60W 、4Ω时提供0.004%的THD+N，显示出IR先进的硅技术可让用户利用D类拓扑结构获得最佳的音频性能。"
与IR的200V数字音频驱动IC IRS20955和IRF6645 DirectFET数字音频MOSFET配合使用的IRAUDAMP4参考设计，是一种2通道、120W 半桥设计，在120W 、4Ω条件下可实现96%的效率。该设计也结合了多种关键保护功能，包括过流保护、过压保护、欠压保护、直流保护、过热保护等。新设计还提供管理功能，例如用于前置放大器仿真信号处理的+/- 5V电源，用于D类栅极驱动级的 -B作参考的+12V电源 (Vcc)。这个2通道设计可扩展功率及通道数目，在正常运行情况下无需使用散热器。
新参考设计基于的IRS20955(S)(TR)PbF音频驱动IC设计，具有特别为D类音频放大器应用设计的浮动PWM输入。其双向电流检测可在无需外置分流电阻的情况下，在正及负的负载电流条件下监测过流状况。内置的保护控制模块可提供针对过流条件的安全保护程序和可编程复位定时器。内置死区时间生成模块则有助于精确的栅极开关，最佳死区时间设置可提供更佳的音频性能，例如较低的总谐波失真 (THD) ，以及较低的音频背景噪声
配合新参考设计使用的IRF6645功率MOSFET，为IR DirectFET系列的成员。创新的DirectFET封装技术通过减少引线电感提升了开关性能，并降低了EMI噪声，从而增强了D类音频放大器电路的性能。其较高的热效率有助于实现在4Ω阻抗下的120W 运行，加上无需使用散热器，所以不仅能缩小电路尺寸，更可在线路布局方面提供更大的灵活性，同时降低整个放大器系统成本。
IRAUDAMP4现在已开始供货。基本规格如下：

组件编号	音频驱动IC	数字音频MOSFET	电源电压	负载阻抗	频率	增益设置
IRAUDAMP4	IRS20955(S)	IRF6645	+/- 35V	4-Ohms	400kHz	26.8dB

IR简介
国际整流器公司 (简称IR，纽约证交所代号IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能运算设备及降低电机的能耗 (电机乃全球最大之耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统及宇航系统的电源管理基准。

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