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标题: IR新型智能整流IC节省75%的元件数量同时使MOSFET温度下降10... [打印本页]

作者: admin 时间: 2008-8-20 16:09
标题: IR新型智能整流IC节省75%的元件数量同时使MOSFET温度下降10...
IR新型智能整流IC节省75%的元件数量同时使MOSFET温度下降10度，系统效率提升1%

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出IR 1167 智能整流（SmartRectifier）IC，它适用于膝上电脑、迷你PC、液晶和等离子电视、游戏机及其他数字计算和家庭娱乐系统中的AC-DC电源转换器应用。该器件不仅能简化设计，还能提升大功率回扫和共振半桥转换电路中的次级同步整流（SR）效率，使设计更小巧，散热效果更佳。
IR中国及香港销售总监严国富指出：“在100W到300W的回扫电路中，传统的变压器控制电路既复杂又笨重，还浪费能量，因为SR MOSFET的极性转换感应需要很高的反向电流。相比之下，IR全新的智能整流IC凭借新的技术标准和直接感测SR MOSFET的电压门限值，实现了快速、准确的控制，使功耗降至最低。”
严国富还补充道：“IR1167能提升1%的整体系统效率，减少MOSFET温升10度，并使得电路元件数减少为过去的1/4。”
IR1167智能整流IC采用IR专有的HVIC技术，能够与各种MOSFET栅极兼容，还可以直接连接IR各种30V至200V 的SR MOSFET。在与具有优化导通电阻及栅极电荷特性的IR MOSFET产品共同使用时，IR1167智能整流IC的优势将更加突出，具有这些特性的产品有：IRF7853、IRFB4110和IRFB4227等。这些优化的MOSFET能与IR1167 SmartRectifier IC融合在一起，成为“整体芯片组解决方案”，进一步提升SR电路的效率和功率密度。
由于新的IC能脱离主控独立运行，所以它适用于多种开关模式变压器和电容输出滤波器应用。与初级部分独立，意味着IR1167在低功率的“跳频模式”下运作，使产品符合“待机功率小于1W”以及加州能源委员会的80Plus规定。
严国富还指出：“以往在共振半桥拓扑结构中，同步整流在商业上并不可行，因为变化的系统频率和低待机功率要求使整体架构变得非常复杂。如今，IR1167提供的简单SR为提升系统效率提供了重要动力。”
智能整流技术使 SR MOSFET的损耗减半，因此也减少了所需的MOSFET数量，还有助于将大型TO-220封装改为小型、表面贴装的SO-8器件。
新IC有SO-8和DIP-8两种封装选择，两者均不含铅（PbF），符合“电子产品有害物质限制指令”（RoHS）。产品基本规格如下：

产品编号	封装	VCC (V)	VFET (V)	最高频率Sw. (kHz)	栅极驱动 +/- (A)	VGATE 箝位 (V)	最大休眠电流 (uA)
IR1167ASPbF	SO-8	20	<=200	500	+2/-7	10.7	200
IR1167BSPbF	SO-8	20	<=200	500	+2/-7	14.5	200
IR1167APbF	DIP-8	20	<=200	500	+2/-7	10.7	200
IR1167BPbF	DIP-8	20	<=200	500	+2/-7	14.5	200

与 IR1167 Smart Rectifier配合应用的 MOSFET实例

产品编号	VDSS (V)	RDS(on) 最大 @ 10V (mΩ)	封装
IRFB4110	100	4.5	TO-220
IRF7853	100	18	SO-8
IRFB4227	200	24	TO-220

设计工具
除了数据资料、应用说明书和技术论文，用户还可以登录IR的myPower 网站http://www.irf.com/design-center/mypower/，使用全新的SmartRectifier在线设计软件。设计人员只要输入应用条件和性能要求，就能获取按照性能和系统成本排列的IC和MOSFET芯片使用建议。此外，IR还提供一种子卡，可将IR SmartRectifier的效率和简便性与二极管设计和复杂的SR方案进行比较。
样品现已通过产品市场部供货。

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