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标题: IR推出三款新型25V DirectFET MOSFET [打印本页]

作者: admin 时间: 2008-8-20 16:13
标题: IR推出三款新型25V DirectFET MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出三款新型25V DirectFET MOSFET，包括IRF6622控制MOSFET、IRF6628和IRF6629同步MOSFET，主要应用于服务器和电信系统中的嵌入式CPU电源、VRM模块，以及嵌入式DC-DC转换器。这些应用需要更高的效率和更好的导热效果，从而提高功率密度。
IR中国销售总监严国富指出：“与20V器件相比，新型25V DirectFET器件可提供更充分的电压裕量，更符合12V应用的需要。而且与同样有源硅片面积的30V器件相比, 25V器件可以减少功耗。”
IRF6622控制MOSFET的栅极电荷很低(Qg = 12nC)，有助减少开关损耗。经过优化的IRF6628和IRF6629同步MOSFET，不但传导损耗低，导通电阻RDS(on)也很低，分别只有1.9mOhms和1.6mOhms。IRF6622 采用小罐式DirectFET封装及SQ占板面积；而IRF6628和IRF6629则采用中罐式DirectFET封装及MX占板面积。
新型25V DirectFET是专为每相位20A到30A的器件设计的。在12VIN、1.3VOUT、300kHz的5相位设计中，如果每相位采用1对IRF6622和IRF6628，再配合IR XPhase芯片组，那么在130A下即可实现88%的效率。在相同条件下，IRF6622和IRF6629的组合效率更高，在130A时可达88.5%。新器件的详细资料可浏览www.irf.com及www.irf.com.cn。
产品规格如下：

产品编号	封装	BVDSS (V)	10V以下典型 RDS(on) (mΩ)	4.5V以下典型RDS(on) (mΩ)	VGS (V)	在25oC 的ID@Tc (A)	典型QG (nC)	典型QGD (nC)
IRF6622	DirectFET SQ	25	4.9	6.8	20	59	11.0	3.8
IRF6628	DirectFET MX	25	1.9	2.5	20	160	31	12
IRF6629	DirectFET MX	25	1.6	2.1	20	180	34	11

IRF6622、IRF6628和IRF6629 DirectFET MOSFET现已供货，产品均符合有害物质限制（RoHS）规定。

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