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标题: IR最新200V DirectFET MOSFET效率高达95%并大幅节省占位空间 [打印本页]

作者: admin 时间: 2008-8-20 16:18
标题: IR最新200V DirectFET MOSFET效率高达95%并大幅节省占位空间
全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用IR标准的DirectFET 封装技术结合IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技术，可实现95% 的效率。
IR 新推出的200V DirectFET 器件是应用于专为36V 至75V 通用输入范围内操作的隔离式设计DC-DC转换器。其超低的51 mΩ典型10V 导通电阻RDS(on) 及减低了的栅极电荷，使IRF6641TRPbF特别适合应用于高效同步整流MOSFET、推动大电流负载的高频及高效的DC-DC 转换器、新一代中间总线转换器、DC 马达驱动器，以及为风力涡轮转换功率的48V 变频器的同步整流。在48V 通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流AC-DC 转换器也可以采用新器件进行同步整流。
IR亚太区高级销售总监曾海邦表示：“我们最新的200V DirectFET MOSFET 的电流额定值达到25 安培，但面积仅与0.7 毫米高度的SO-8 封装产品相同，同时也能把栅极电荷和封装电感降至最低，从而减少导通和开关损耗。一颗DirectFET MOSET就能比较两颗或三颗SO-8 器件节省超过50% 的空间。”
IR 的新器件在诸多应用上都能提供卓越的表现。IRF6641TRPbF 与其他采用次级同步整流插座的增强SO-8 器件相比，当每个插座所使用的增强SO-8 器件的数目相同时，新的DirectFET 器件的效率可提高0.4% 。此外，当每个插座使用两个增强SO-8 器件时，IR 的新器件也能提供同样7 安培的电流和满载效率。在同一项分析中，每个插座如果采用两颗IRF6641TRPbF 器件的电路，MOSFET 温度是最低的。
新器件有一个共用MZ 占位面积，可以方便地将应用转换至其他中电压DirectFET MOSFET，例如具有可接受的增加电流电平和更低电压的100V IRF6662器件。
新的IRF6641TRPbF DirectFET MOSET现已供货，其基本规格如下：

产品编号	封装	BVDSS(V)	最大 RDS(on) 在10V以下 (mΩ)	典型 RDS(on) 在10V以下 (mΩ)	VGS (V)	在摄氏 25度下的ID(A)	典型QG (nC)	典型QGD(nC)
IRF6641TRPbF	DirectFET	200	59.9	51	20	26	34	9.5

IR已获专利的DirectFET MOSFET封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优点。其金属罐结构可提供双面冷却功能，使应用于驱动先进微型处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力增加了一倍。此外，DirectFET封装内的器件均符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

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