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标题: IR推出高效率150V DirectFET MOSFET实现散热效果更佳、体积更小巧的DC-DC转换器应用 [打印本页]

作者: admin 时间: 2008-8-20 16:20
标题: IR推出高效率150V DirectFET MOSFET实现散热效果更佳、体积更小巧的DC-DC转换器应用
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) ，推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF，适用于36V至75V通用电信输入及48V固定输入系统等多种运行环境的隔离式DC-DC转换器。新型DirectFET器件采用IR先进的DirectFET封装技术及新一代HEXFET功率MOSFET硅，额定电流可达35A，其散热表现更加卓越且效率更高，而占板面积则只相当于扁平型SO-8封装。
IR亚太区高级销售总监曾海邦表示：“IR DirectFET系列的最新器件通过持续改善影响功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD性能的关键参数，将传导、开关及反向恢复损耗降至最低。这些改进不仅可保证器件在较高电流电平下工作，同时也保持了单个MOSFET的小巧体积。由于电路版的面积减少了50%以上，因此现在一个DirectFET MOSFET可以替代两个或三个SO-8封装器件。”
该器件的典型10V RDS(on) 非常低，只有29mΩ。其低电感使器件更加适合大电流同步整流插座。而且，IRF6643TRPbF的QG低至39nC、QGD低至11nC，因此可作为隔离式或中间DC总线转换器的原边MOSFET。IRF6643TRPbF采用中级尺寸 (MZ) DirectFET封装。有关新器件的详细数据，详见以下网址http://www.irf.com/whats-new/nr061214.html。
产品基本规格如下：

器件编号	封装	BVDSS(V)	10V下最大RDS(on) (mOhm)	10V下典型RDS(on) (mOhm)	VGS (V)	25oC下的 ID (A)	典型QG (nC)	典型QGD(nC)
IRF6643TRPbF	DirectFET中罐	150	34.5	29	20	35	39	11

IR的DirectFET MOSFET封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优势，并已获得专利保护。其金属罐构造可提供双面冷却功能，将用于驱动先进微型处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力有效增加一倍。此外，DirectFET封装内的器件均符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。有关DirectFET MOSFET封装技术的详情，可浏览directfet.irf.com及discovery.irf.com。
IRF6643TRPbF DirectFET MOSFET现已开始供货。

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