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标题: IR新型D类音频芯片组可减少元件数量并节省50%占板面积 [打印本页]

作者: admin 时间: 2008-8-20 16:20
标题: IR新型D类音频芯片组可减少元件数量并节省50%占板面积
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新型 D 类音频芯片组。该产品由 IRS20955 200V 数字音频驱动器 IC 和 IRF4024Hx 系列数字音频MOSFET 组成。与典型设计相比，新器件可以为高达500W 的 D 类音频放大器节省50%的 PCB 板空间，而有关MOSFET 能为家庭影院应用、专业放大器、乐器及汽车娱乐系统中所有中压的中、高功率 D 类音频放大器，减少50%的功率开关器件数量。
IR 亚太区高级销售总监曾海邦表示：“IRS20955 IC 为日益小巧的D 类音频设计中所需的紧凑面积提供更高的性能、更强的保护和更高的效率。当与我们最新的 D 类音频驱动 IC 结合使用，这款新集成半桥数字音频 MOSFET 可以提供更先进的解决方案，进而改善性能及音质，还可以减少一半数量的功率开关器件。”
IRS20955 技术资料
The IRS20955(S)(TR) PBF IC 可以减少达27个外部元件，还具有独特的浮置逻辑兼容3.3V/5V PWM输入，可以为采用半桥拓扑结构和双电源的 D类音频应用减少7个外部电平转换元件。
该器件利用具有自复位功能的集成可编程双向电流检测功能，有助于实现高压 IC 检测开关周期的精确点，提供更有效保护。新产品可以适时地检测电流，从而优化 IC 的过流保护电路。此外，新器件因省去了大型电流检测电阻器而更能节省空间。与现有的音频 IC 参考设计相比，该IC 的内置保护控制逻辑可省去11个元件，进而减少占板空间。
新型音频IC设有内部死区时间生成电路，可以设置准确而稳定的栅极开关时序，同时提供优化的死区时间设置，以改善总谐波失真（THD）性能和提高抗噪性。除了简化设计，这项死区时间功能可减少达8个外部元件，而且无需大型封装，从而节省了更多的占板空间。IRS20955 数字音频 IC 的工作频率可达800kHz，适用于单电源全桥设计。
IRFI4024Hx技术资料
除了拥有较低的导通电阻，该系列半桥 N 沟道 MOSFET 具有优化的栅极电荷，体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以改善主要 D 类音频放大器的性能参数，如效率、THD 和 EMI。例如，IRFI4024H-117P 具有48毫欧的典型导通电阻，效率极高，其8.9nC 的典型Qg 和 4.3nC 的Qsw 有助改善THD 性能。
有关新器件的详细数据，可登录网站：http://www.irf.com/whats-new/nr061207.html

IRS20955 规格
产品编号	封装	VOFFSET	可选死区时间	传播延迟	OC 保护延迟
IRS20955PBF	DIP16	0 - 200 V	15/25/35/45ns	90ns	500ns
IRS20955SPBF/ IRS20955STRPBF	SO16N	0 - 200 V	15/25/35/45ns	90ns	500ns

IRFI4024H 规格
产品编号	封装	Vds	典型导通电阻	典型Qg	典型Qsw
IRFI4024H-117P	TO-220FP 5P	55V	48mΩ	8.9 nC	4.3 nC
IRFI4212H-117P	TO-220FP 5P	100V	58mΩ	12 nC	6.9 nC
IRFI4019H-117P	TO-220FP 5P	150V	80mΩ	13 nC	4.1 nC
IRFI4020H-117P	TO-220FP 5P	200V	80mΩ	19 nC	6.8 nC

新器件现已接受批量订货，各款产品均符合《电子产品有害物质限制指令》 (RoHS)。

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