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标题: IR推出两款新型DirectFET MOSFET芯片组 [打印本页]

作者: admin 时间: 2009-7-14 19:06
标题: IR推出两款新型DirectFET MOSFET芯片组
世界功率管理技术领袖国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出两款新型的30V DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于安装了最新款Intel和AMD处理器的笔记本电脑设计，满足其更小体积、更高效率和良好散热的要求。
IR中国及香港销售总监严国富指出，全新30V芯片组能在整个额定负载范围内实现更高效率。由于封装体积更小，只需单个控制和单个同步MOSFET便可在大电流下工作，因此功率密度高于传统封装。也就是说，这些芯片组具有更好的热性能，面积也更小，最适用于体积超小、需要提高电池使用效率的移动计算应用。
新品的每一款芯片组都包含一个控制MOSFET和一个同步MOSFET，而每个器件都经过特别设计，在同步DC-DC降压转换器电路中发挥最佳性能。控制MOSFET具有更低的开关损耗，同步MOSFET的传导损耗更低（低导通电阻），逆向恢复电荷也很低。
其中一款芯片组包含IRF6617控制场效应管和IRF6611同步场效应管，能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能，每个功率通道可达20A。另一款芯片组则包含IRF6637控制场效应管和IRF6678同步场效应管，适用于每个功率通道高于20A的应用，可有效提升热性能。

[attach]720[/attach]IRF6617控制场效应管采用小罐（ST）DirectFET封装，IRF6637控制场效应管则采用中罐（MP）DirectFET封装。为了方便修改现有设计，两款同步场效应管都采用中罐（MX）DirectFET封装，可以轻松地将IRF6611替换为IRF6678，满足更大电流和散热性能的需求。
新的芯片组有助于电路设计人员缩减高频、大电流DC-DC转换器的体积。这些转换器适用于高档电脑和服务器，以及先进的电信和数据通信系统。
IR的DirectFET MOSFET封装已经获得了专利，其中汇集了一系列标准塑料分立封装不具备的设计优点。金属腔构造能发挥双面冷却功能，把用以驱动先进微处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理效率增加一倍。此外，采用DirectFET封装的器件均不含铅和溴化物。
芯片组的基本规格如下：

产品编号	功能	封装	BVDSS(V)	10V下最大RDS(on) (mOhm)	4.5V下最大RDS(on)(mOhm)	VGS(V)	Tc=25°C下的ID (A)	典型QG(nC)	典型QGD(nC)
IRF6678	同步场效应管	DirectFET MX	30	2.2	3.0	20	150	43	15
IRF6611	同步场效应管	DirectFET MX	30	2.6	3.4	20	150	37	12.5
IRF6637	控制场效应管	DirectFET MP	30	7.7	10.8	20	59	11	4.0
IRF6617	控制场效应管	DirectFET ST	30	8.1	10.3	20	55	11	4.0

IR最新30V DirectFET MOSFET现已供货。以1万片订货量计算，每片单价如下。价格会有所变动。
IRF6678同步场效应管：1.25美元
IRF6611同步场效应管：1.09美元
IRF6637控制场效应管：0.91美元
IRF6617控制场效应管：0.87美元

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