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标题: IR推出增强型25V及30V MOSFET [打印本页]

作者: admin 时间: 2009-7-14 19:10
标题: IR推出增强型25V及30V MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出一系列新型 25V及30V N通道沟道 HEXFET功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。

      新 MOSFET 系列采用了 IR 经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻 (RDS(on)) ，并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率。

      IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示："这些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封装，可比SO-8封装提供更高的功率密度，同时保持相同的引脚排列配置。新型双 SO-8 MOSFET 还可通过 ’二合一’ 交换来减少元件数目，满足不同应用的要求。"

      单双 N 通道 MOSFET 现已开始供应。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封装之外，单个 N通道器件也可在高量产时实现优化，采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封装，而双 N通道器件则采用 SO-8 封装。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) ，可以不含卤素。

产品的基本规格如下：

单个 N 通道
器件编号	Bvdss (V)	封装	在10Vgs下的最大RDS(on)(mΩ)	在4.5Vgs下的最大RDS(on) (mΩ)	在TC=25°C下的Id(A)	在TA=25°C下的Id(A)	典型 Qg (nC)
IRL(R,U)8256(TR)PBF	25	D-Pak/I-PAK	5.7	8.5	81	N/A	10
IRL(R,U)8259(TR)PBF	25	D-Pak/I-PAK	8.7	12.9	57	N/A	6.8
IRF8252(TR)PBF	25	SO-8	2.7	3.7	N/A	25	35
IRL(R,U)8743(TR)PBF	30	D-Pak/I-PAK	3.1	3.9	160	N/A	39
IRL(R,U)8726(TR)PBF	30	D-Pak/I-PAK	5.8	8.0	86	N/A	15
IRL(R,U)8721(TR)PBF	30	D-Pak/I-PAK	8.4	11.8	65	N/A	8.5
IRL(R,U)8729(TR)PBF	30	D-Pak/I-PAK	8.9	11.9	58	N/A	10
IRFH3702(TR,TR2)PBF	30	PQFN 3 x 3	7.1	11.8	N/A	16	9.6
IRFH3707(TR,TR2)PBF	30	PQFN 3 x 3	12.4	17.9	N/A	12	5.4
IRFH7932(TR,TR2)PBF	30	PQFN 5 x 6	3.3	3.9	N/A	24	34
IRFH7934(TR,TR2)PBF	30	PQFN 5 x 6	3.5	5.1	N/A	24	20
IRFH7936(TR,TR2)PBF	30	PQFN 5 x 6	4.8	6.8	N/A	20	17
IRFH7921(TR,TR2)PBF	30	PQFN 5 x 6	8.5	12.5	N/A	15	9.3
IRFH7914(TR,TR2)PBF	30	PQFN 5 x 6	8.7	13	N/A	15	8.3
IRF8788(TR)PBF	30	SO-8	2.8	3.8	N/A	24	44
IRF7862(TR)PBF	30	SO-8	3.7	4.5	N/A	21	30
IRF8734(TR)PBF	30	SO-8	3.5	5.1	N/A	21	20
IRF8736(TR)PBF	30	SO-8	4.8	6.8	N/A	18	17
IRF8721(TR)PBF	30	SO-8	8.5	12.5	N/A	14	8.3
IRF8714(TR)PBF	30	SO-8	8.7	13	N/A	14	8.1
IRF8707(TR)PBF	30	SO-8	11.9	17.5	N/A	11	6.2
N/A = 不适用

双 N 通道
器件编号	封装	配置	Bvdss (V)	在10Vgs下的最大RDS(on) (mΩ)	最大Vgs (V)	典型Qg (nC)
IRF8313PBF	SO-8	独立对称	30	15.5	± 20	6.0
IRF8513PBF	SO-8	半桥非对称	30	12.7	± 20	7.6
IRF8513PBF	SO-8	半桥非对称	30	15.5	± 20	5.7

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