3V及低功耗产品系统设计

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MICROCHIP公司不断致力于提供低功耗器件以适应客户对低功耗设计的需求。2009年4月，MICROCHIP公司正式向广大客户介绍其最新的低功耗技术——“nanoWatt XLP™ ”技术。该技术相对于传统的纳瓦技术，在以下指标上有了显著改进：
1、100 nA 掉电电流 (IPD)；
2、800 nA WDT电流 (IWDT)；
3、800 nA RTCC电流 (IRTCC)。
目前，MICROCHIP在以下MCU上运用纳瓦技术，PIC18F45K20系列带内部EE的通用型MCU，PIC18F46J11系列通用型MCU，PIC16F727系列，PIC24KA系列16位高性能单片机。

MICROCHIP传统纳瓦技术MCU的注意点：
对于PIC单片机，传统的低功耗,标准被称为“nanoWatt technology”（纳瓦技术）。自其2003年推出以来，该技术已经被成为新的PIC单片机的标准。成为1个纳瓦器件的主要要求是掉电情况下1uW。当时介绍的一些新的省电指标如下：
1、Idle模式；
2、 片内高速RC振荡（INTOSC），可倍频（PLL），可编程的后分频；
3、 扩展超时间隔的WDT；
4、 针对Timer1和第二振荡(32 kHz)的低功耗选项；
5、 低功耗，软件可控制的掉电检测功能（BOR）。
我司推荐的部分“nanoWatt XLP™ ”器件
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