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MDT10F630,(完全兼容PIC16F630,FLASH,内置EEPROM,多次擦写,内置振荡)

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发表于 2009-3-4 17:26:49 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
MDT10F630,(完全兼容PIC16F630,FLASH,内置EEPROM,多次擦写,内置振荡)
特性:ROM:1K,脚位:14,PINI/O:12PIN,复位时间极快.2V,低电压工作.低功耗,温度范围宽。
资料下载: MDT10F630.pdf


1. 概述:
这个8 位微控制器是由完全静态CMOS技术设计,集高速、体积小、低功耗和高抗干扰性一体的芯片。内存包括1K 字节的FLASH ROM,128K 字节的EEPROM 和64 字节静态RAM。
2 、特点:
完全的CMOS 静态设计
8 位数据总线
FLASH ROM 的大小: 1 K 字节
内部RAM 大小: 64 字节
(64 个通用目标寄存器)
EEPROM 大小:128 字节
37 条单指令
14 位指令长度
8 级堆栈
工作电压: 2.3V ~ 5.5 V
自振式看门狗定时器
中断电容
定时器0 : 带3 Bit 预分频器8Bit 定时器
定时器1 : 带2 Bit 预分频器16Bit 定时器
1 个模拟比较器模块
省电睡眠模式
PA 电平变化中断唤醒
上电复位
12 个可独立直接控制I/O 口
3. 应用
MDT10F630 的应用范围从发动机控制器,高速自动电机(电车)到低电源遥控发射、接收器,面向设备装置,无线电通讯,如遥控器,小型设备,玩具,汽车和键盘等等。
4. 引脚分配
MDT10F630P11 (DIP)
MDT10F630S11 (SOP)
Vdd 1 14 Vss
OSC1/PA5 2 13 PA0/CIN+
OSC2/PA4 3 12 PA1/CIN-
PA3 4 11 PA2/INT
PC5 5 10 PC0
PC4 6 9 PC1
PC3 7 8 PC2
MDT10F630P13 (DIP)
MDT10F630S13 (SOP)
Vdd 1 14 Vss
OSC1/PA5 2 13 PA0/CIN+
OSC2/PA4 3 12 PA1/CIN-
/MCLR 4 11 PA2/INT
PC5 5 10 PC0
PC4 6 9 PC1
PC3 7 8 PC2
MDT系列产品说明(应用者必读)
IC注意事项(应用者必读)
烧录器 WMD021功能说明
MDT IC 基本应用说明  
WDT/RTCC PRESCALER注意事项
MDT Serial Programming 应用电路图
标准的复位电路
MDT指令表8位单片机
MDT10P7X / 10P6X应用注意事项
MDT10P712 / MDT10P716 注意事项
MDT10F630完全兼容PIC16F630,使用时注意事项
MDT10F630 与PIC16F630 的差别与烧录档转换(MDT10F6301,MDT10F629也是一样)
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