英锐恩单片机论坛,Microchip单片机,模拟器件,接口电路,麦肯单片机,单片机应用交流

 找回密码
 立即注册
搜索
查看: 3264|回复: 0

IR推出两款新型DirectFET MOSFET芯片组

[复制链接]
发表于 2009-7-14 19:06:44 | 显示全部楼层 |阅读模式
世界功率管理技术领袖国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出两款新型的30V DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于安装了最新款Intel和AMD处理器的笔记本电脑设计,满足其更小体积、更高效率和良好散热的要求。
IR中国及香港销售总监严国富指出,全新30V芯片组能在整个额定负载范围内实现更高效率。由于封装体积更小,只需单个控制和单个同步MOSFET便可在大电流下工作,因此功率密度高于传统封装。也就是说,这些芯片组具有更好的热性能,面积也更小,最适用于体积超小、需要提高电池使用效率的移动计算应用。
新品的每一款芯片组都包含一个控制MOSFET和一个同步MOSFET,而每个器件都经过特别设计,在同步DC-DC降压转换器电路中发挥最佳性能。控制MOSFET具有更低的开关损耗,同步MOSFET的传导损耗更低(低导通电阻),逆向恢复电荷也很低。
其中一款芯片组包含IRF6617控制场效应管和IRF6611同步场效应管,能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能,每个功率通道可达20A。另一款芯片组则包含IRF6637控制场效应管和IRF6678同步场效应管,适用于每个功率通道高于20A的应用,可有效提升热性能。


IRF6617控制场效应管采用小罐(ST)DirectFET封装,IRF6637控制场效应管则采用中罐(MP)DirectFET封装。为了方便修改现有设计,两款同步场效应管都采用中罐(MX)DirectFET封装,可以轻松地将IRF6611替换为IRF6678,满足更大电流和散热性能的需求。
新的芯片组有助于电路设计人员缩减高频、大电流DC-DC转换器的体积。这些转换器适用于高档电脑和服务器,以及先进的电信和数据通信系统。
IR的DirectFET MOSFET封装已经获得了专利,其中汇集了一系列标准塑料分立封装不具备的设计优点。金属腔构造能发挥双面冷却功能,把用以驱动先进微处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理效率增加一倍。此外,采用DirectFET封装的器件均不含铅和溴化物。
芯片组的基本规格如下:

产品编号功能封装BVDSS(V)10V下最大RDS(on) (mOhm)4.5V下最大RDS(on)(mOhm)VGS(V)Tc=25°C下的ID (A)典型QG(nC)典型QGD(nC)
IRF6678同步场效应管DirectFET MX302.23.0201504315
IRF6611同步场效应管DirectFET MX 302.63.4201503712.5
IRF6637控制场效应管DirectFET MP307.710.82059114.0
IRF6617控制场效应管DirectFET ST308.110.32055114.0
IR最新30V DirectFET MOSFET现已供货。以1万片订货量计算,每片单价如下。价格会有所变动。
IRF6678同步场效应管:1.25美元
IRF6611同步场效应管:1.09美元
IRF6637控制场效应管:0.91美元
IRF6617控制场效应管:0.87美元

本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?立即注册

x
您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

关闭

站长推荐上一条 /1 下一条

小黑屋|公司首页|Microchip单片机,模拟器件,接口电路,麦肯单片机,单片机应用交流 ( 粤ICP备09008620号 )

GMT+8, 2019-11-19 12:37 , Processed in 0.076600 second(s), 22 queries .

Powered by Discuz! X3.2 Licensed

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表