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IR推出增强型25V及30V MOSFET

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发表于 2009-7-14 19:10:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
全球功率半导体和管理方案领导厂商- 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)推出一系列新型 25V及30V N通道沟道 HEXFET功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能,适用于消费和网络领域的计算应用。
  
         新 MOSFET 系列采用了 IR 经过验证的硅技术,可提供基准通态电阻 (RDS(on)) ,并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能,即使在轻负载条件下,低转换损耗也有助于实现高效率。  

          IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示:"这些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封装,可比SO-8封装提供更高的功率密度,同时保持相同的引脚排列配置。新型双 SO-8 MOSFET 还可通过 ’二合一’ 交换来减少元件数目,满足不同应用的要求。"  

         单双 N 通道 MOSFET 现已开始供应。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封装之外,单个 N通道器件也可在高量产时实现优化,采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封装,而双 N通道器件则采用 SO-8 封装。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) ,可以不含卤素。  

产品的基本规格如下:   
单个 N 通道

器件编号

Bvdss
(V)

封装

10Vgs下的
最大RDS(on)(mΩ)

4.5Vgs下的
最大RDS(on)
(mΩ)

TC=25°C下的Id(A)

TA=25°C下的Id(A)

典型 Qg (nC)


25

D-Pak/I-PAK

5.7

8.5

81

N/A

10


25

D-Pak/I-PAK

8.7

12.9

57

N/A

6.8


25

SO-8

2.7

3.7

N/A

25

35


30

D-Pak/I-PAK

3.1

3.9

160

N/A

39


30

D-Pak/I-PAK

5.8

8.0

86

N/A

15


30

D-Pak/I-PAK

8.4

11.8

65

N/A

8.5


30

D-Pak/I-PAK

8.9

11.9

58

N/A

10


30

PQFN 3 x 3

7.1

11.8

N/A

16

9.6


30

PQFN 3 x 3

12.4

17.9

N/A

12

5.4


30

PQFN 5 x 6

3.3

3.9

N/A

24

34


30

PQFN 5 x 6

3.5

5.1

N/A

24

20


30

PQFN 5 x 6

4.8

6.8

N/A

20

17


30

PQFN 5 x 6

8.5

12.5

N/A

15

9.3


30

PQFN 5 x 6

8.7

13

N/A

15

8.3


30

SO-8

2.8

3.8

N/A

24

44


30

SO-8

3.7

4.5

N/A

21

30


30

SO-8

3.5

5.1

N/A

21

20


30

SO-8

4.8

6.8

N/A

18

17


30

SO-8

8.5

12.5

N/A
14

8.3


30

SO-8

8.7

13

N/A

14

8.1


30

SO-8

11.9

17.5

N/A

11

6.2

N/A = 不适用


N 通道

器件编号

封装

配置

Bvdss
(V)

10Vgs

最大RDS(on) (mΩ)

最大Vgs (V)

典型Qg
(nC)


SO-8

独立对称

30

15.5

± 20

6.0


SO-8

半桥非对称

30

12.7

± 20

7.6

15.5

5.7



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