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MDT10F630,(完全兼容PIC16F630,FLASH,内置EEPROM,多次擦写,内置振荡) 
特性:ROM:1K,脚位:14,PINI/O:12PIN,复位时间极快.2V,低电压工作.低功耗,温度范围宽。 
资料下载:  MDT10F630.pdf 
 
 
1. 概述: 
这个8 位微控制器是由完全静态CMOS技术设计,集高速、体积小、低功耗和高抗干扰性一体的芯片。内存包括1K 字节的FLASH ROM,128K 字节的EEPROM 和64 字节静态RAM。 
2 、特点: 
完全的CMOS 静态设计 
8 位数据总线 
FLASH ROM 的大小: 1 K 字节 
内部RAM 大小: 64 字节 
(64 个通用目标寄存器) 
EEPROM 大小:128 字节 
37 条单指令 
14 位指令长度 
8 级堆栈 
工作电压: 2.3V ~ 5.5 V 
自振式看门狗定时器 
中断电容 
定时器0 : 带3 Bit 预分频器8Bit 定时器 
定时器1 : 带2 Bit 预分频器16Bit 定时器 
1 个模拟比较器模块 
省电睡眠模式 
PA 电平变化中断唤醒 
上电复位 
12 个可独立直接控制I/O 口 
3. 应用 
MDT10F630 的应用范围从发动机控制器,高速自动电机(电车)到低电源遥控发射、接收器,面向设备装置,无线电通讯,如遥控器,小型设备,玩具,汽车和键盘等等。 
4. 引脚分配 
MDT10F630P11 (DIP) 
MDT10F630S11 (SOP) 
Vdd 1 14 Vss 
OSC1/PA5 2 13 PA0/CIN+ 
OSC2/PA4 3 12 PA1/CIN- 
PA3 4 11 PA2/INT 
PC5 5 10 PC0 
PC4 6 9 PC1 
PC3 7 8 PC2 
MDT10F630P13 (DIP) 
MDT10F630S13 (SOP) 
Vdd 1 14 Vss 
OSC1/PA5 2 13 PA0/CIN+ 
OSC2/PA4 3 12 PA1/CIN- 
/MCLR 4 11 PA2/INT 
PC5 5 10 PC0 
PC4 6 9 PC1 
PC3 7 8 PC2 
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