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片内flash读写

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发表于 2012-8-20 15:59:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
在对flash的读写操作时发现那句WR或者rd置1的语句没能执行,eeif标志位没变。不知还有什么要设置的?试过了,读写E2PROM没有问题,能对其置1.期待大侠指点,谢谢

LIST P=16F877,R=DEC  
#include <p16F877.inc>
count = 21H
addrl    equ  76H
addrh   equ  77H
datal   equ  78h
datah   equ  79h
e_addrl  equ  176H
e_addrh  equ  177H
e_data  equ  178H
e_datah  equ  179H
org 000h
main
movlw  05h
movwf  addrl
movlw  07h
movwf  addrh
movlw  08h
movwf  datal
movlw  08h
movwf  datah


BSF    STATUS, RP1   ;
BSF    STATUS, RP0   ;Bank 3
BCF    STATUS, RP0   ;Bank 2
movf  e_addrl,0
        movwf EEADR       ; 存入数据的E2PROM地址
movf  e_addrh,0
        movwf EEADRH       ; 存入数据的E2PROM地址
movf  e_datah,0
        movwf EEDATH      ; 存入E2PROM的数据
        movf  e_data,0
        movwf EEDATA      ; 存入E2PROM的数据
BSF    STATUS, RP0   ;Bank 3
BSF    EECON1, EEPGD oint to Data memory
BSF    EECON1, WREN  ;Enable writes
                      ;Only disable interrupts
BCF    INTCON, GIE   ;if already enabled,
                     ;otherwise discard
MOVLW  0x55          ;Write 55h to
MOVWF  EECON2        ;EECON2
MOVLW  0xAA          ;Write AAh to
MOVWF  EECON2        ;EECON2
BSF    EECON1, WR    ;Start write operation
                     ;Only enable interrupts
NOP
NOP
BSF    INTCON, GIE   ;if using interrupts,
                     ;otherwise discard
BCF    EECON1, WREN  ;Disable writes
goto $

S
end  
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