IR推出两款新型DirectFET MOSFET芯片组
世界功率管理技术领袖国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出两款新型的30V DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于安装了最新款Intel和AMD处理器的笔记本电脑设计，满足其更小体积、更高效率和良好散热的要求。IR中国及香港销售总监严国富指出，全新30V芯片组能在整个额定负载范围内实现更高效率。由于封装体积更小，只需单个控制和单个同步MOSFET便可在大电流下工作，因此功率密度高于传统封装。也就是说，这些芯片组具有更好的热性能，面积也更小，最适用于体积超小、需要提高电池使用效率的移动计算应用。
新品的每一款芯片组都包含一个控制MOSFET和一个同步MOSFET，而每个器件都经过特别设计，在同步DC-DC降压转换器电路中发挥最佳性能。控制MOSFET具有更低的开关损耗，同步MOSFET的传导损耗更低（低导通电阻），逆向恢复电荷也很低。
其中一款芯片组包含IRF6617控制场效应管和IRF6611同步场效应管，能在高密度、空间有限的电路板中达到最佳的性能，每个功率通道可达20A。另一款芯片组则包含IRF6637控制场效应管和IRF6678同步场效应管，适用于每个功率通道高于20A的应用，可有效提升热性能。
IRF6617控制场效应管采用小罐（ST）DirectFET封装，IRF6637控制场效应管则采用中罐（MP）DirectFET封装。为了方便修改现有设计，两款同步场效应管都采用中罐（MX）DirectFET封装，可以轻松地将IRF6611替换为IRF6678，满足更大电流和散热性能的需求。
新的芯片组有助于电路设计人员缩减高频、大电流DC-DC转换器的体积。这些转换器适用于高档电脑和服务器，以及先进的电信和数据通信系统。
IR的DirectFET MOSFET封装已经获得了专利，其中汇集了一系列标准塑料分立封装不具备的设计优点。金属腔构造能发挥双面冷却功能，把用以驱动先进微处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理效率增加一倍。此外，采用DirectFET封装的器件均不含铅和溴化物。
芯片组的基本规格如下：
产品编号功能封装BVDSS(V)10V下最大RDS(on) (mOhm)4.5V下最大RDS(on)(mOhm)VGS(V)Tc=25°C下的ID (A)典型QG(nC)典型QGD(nC)
IRF6678同步场效应管DirectFET MX302.23.0201504315
IRF6611同步场效应管DirectFET MX 302.63.4201503712.5
IRF6637控制场效应管DirectFET MP307.710.82059114.0
IRF6617控制场效应管DirectFET ST308.110.32055114.0
IR最新30V DirectFET MOSFET现已供货。以1万片订货量计算，每片单价如下。价格会有所变动。
IRF6678同步场效应管：1.25美元
IRF6611同步场效应管：1.09美元
IRF6637控制场效应管：0.91美元
IRF6617控制场效应管：0.87美元
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